| Υλικό | Κεραμικά, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Δύναμη μόνωσης | ≥15KV/mm |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | Μέχρι 1000°C |
| μέγεθος | Διαφορετικά μεγέθη διαθέσιμα |
| Ακατέργαστη επιφάνεια | 0.3-08 |
| Αποσύνθεση θερμότητας | Αποτελεσματική |
|---|---|
| Υλικό | Κεραμικά, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
| Δυνατότητα | Μακροχρόνια |
| Αντίσταση θερμοκρασίας | < 700°C |
| Εφαρμογή | Τρανζίστορα, MOSFET, Δίοδος Schottky, IGBT, Υψηλής πυκνότητας παροχή ρεύματος, εξοπλισμός σήματος επ |
| Βάρος | Ελαφρύ |
|---|---|
| Αποσύνθεση θερμότητας | Αποτελεσματική |
| Ακατέργαστη επιφάνεια | 0.3-08 |
| Σφιχτότητα | 30,7g/cm^3 |
| Δύναμη μόνωσης | ≥15KV/mm |
| Υλικό | Κεραμικά, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Επισκευή | ≤2‰ |
| Μηχανική δύναμη | ≥3000MPa |
| Αποσύνθεση θερμότητας | Αποτελεσματική |
| Δυνατότητα | Μακροχρόνια |
| Βάρος | Ελαφρύ |
|---|---|
| Μέγεθος | Διαφορετικά μεγέθη |
| Θερμική αγωγιμότητα | 9~180 MW/m.K. |
| Ακατέργαστη επιφάνεια | 0.3-08 |
| Επισκευή | ≤2‰ |
| Θερμική αγωγιμότητα | 9~180 MW/m.K. |
|---|---|
| Επισκευή | ≤2‰ |
| Δυνατότητα | Μακροχρόνια |
| Αντίσταση θερμοκρασίας | < 700°C |
| Μηχανική δύναμη | ≥3000MPa |