Αποσύνθεση θερμότητας | Αποτελεσματική |
---|---|
Υλικό | Κεραμικά, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
Δυνατότητα | Μακροχρόνια |
Αντίσταση θερμοκρασίας | < 700°C |
Εφαρμογή | Τρανζίστορα, MOSFET, Δίοδος Schottky, IGBT, Υψηλής πυκνότητας παροχή ρεύματος, εξοπλισμός σήματος επ |
Βάρος | Ελαφρύ |
---|---|
Αποσύνθεση θερμότητας | Αποτελεσματική |
Ακατέργαστη επιφάνεια | 0.3-08 |
Σφιχτότητα | 30,7g/cm^3 |
Δύναμη μόνωσης | ≥15KV/mm |
Υλικό | Κεραμικά, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
---|---|
Επισκευή | ≤2‰ |
Μηχανική δύναμη | ≥3000MPa |
Αποσύνθεση θερμότητας | Αποτελεσματική |
Δυνατότητα | Μακροχρόνια |
Βάρος | Ελαφρύ |
---|---|
Μέγεθος | Διαφορετικά μεγέθη |
Θερμική αγωγιμότητα | 9~180 MW/m.K. |
Ακατέργαστη επιφάνεια | 0.3-08 |
Επισκευή | ≤2‰ |
Θερμική αγωγιμότητα | 9~180 MW/m.K. |
---|---|
Επισκευή | ≤2‰ |
Δυνατότητα | Μακροχρόνια |
Αντίσταση θερμοκρασίας | < 700°C |
Μηχανική δύναμη | ≥3000MPa |